三星電子副會長李在鎔(Lee Jae-yong)今(2024)年10月出訪歐洲、拜見艾司摩爾(ASML)執行長Peter Wennink等人後，傳出Wennink也禮尚往來，於上週拜訪三星，但願能促成極紫外光(EUV)微影設施的合作案。(圖為三星V1晶圓代工生產線)
Business Korea 1日報導，Wennink等ASML高層上週拜訪了三星半導體廠，商量EUV微影設施的供應與發展合作案。業界內部人士相信，三星要求ASML供給更多EUV微影設施，兩方並商量開闢次代EUV設施的合作事宜。
身為環球唯一一q8娛樂城會員註冊家EUV設施製造商的ASML，現在對臺積電(23豪神娛樂城儲值30)的供貨量高於三星。三星但願跟ASML合組科技聯合，贏得更多次世代EUV微影設施。ASML也有跟三星投資合作的必須，由於次代EUV設施需要大批研發資金。
三星但願投資高數值孔徑(high-numerical aperture, High-Na)EUV設施的開闢案，這冠天下娛樂城優惠推廣種設施可改良半導體微製程所需的電路分析度，一臺設施要價5,000億韓圜，是現在款型的2-3倍。ASML計畫2024年年中推出設施原型，三星但願趕在臺積電之前贏得設施，爭取專業領先。
不過，三星一名官員透露，兩方並未在會議上達成投資決意。ASML高層只是應李在鎔10月份的約請前來三星拜訪。ASML高層也訪問SK海力士(SK Hynix)總裁李錫熙(Lee Seok-hee)，動靜顯示他們商量了要如何擴大供給EUV設施、促進合作。
三星傳出已對次世代晶片事業(涵蓋晶圓代工業務)砸下1,160億美元，但願最快兩年後遇上臺積電。外電11月17日報導，三星一名資深執行主管10月曾在一場必要受邀加入的會議上透露，2024年有望量產3奈米製程晶片。臺積電也預定2024年下半年量產3奈米晶片。
三星計畫使用閘極全環場效電晶體(Gate-All-Around FET, GAAFET)，能更精準地管理通道電流、縮小晶單方面積、減低耗電量。臺積電3奈米晶片則是採較成熟的鰭式場效應電晶體(FinFET)架構。SK Securities解析師Kim Young-soo表示，三星選擇的GAA專業，臺積電意料2024年會採用在2奈米製程，惟時間或許會提前至2024年下半年。專業上來說，三星有望在i88 娛樂城臺積電投產2奈米晶片包你發娛樂城評價前、於2024年扭轉局面。三星可否擴充市占的關鍵，在於該公司能拿到幾多臺EUV微影設施。
