在車用需要加持下，碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等次世代功率半導體需要衝、預估將財神娛樂城新手教學以每年約20%的速度展示增長，此中2030年SiC產物市場規模預估將跳增28倍、GaN將飆增65倍。
日本市調機構富士經濟(Fuji Keizai)10日公布查訪匯報指出，因汽車電子器材、行業用需要大幅萎縮，連累2024年環球功率半導體市場規模年減38%至2兆8,043億日圓，此中矽(Si)製產物規模萎縮40%至2兆7,529億日圓、SiC等次世代產物市場發展96%至514億日圓。
在次世代產物中，2024年SiC功率半導體市場規模年增96%至493億日圓、GaN功率半導體發展158%至22億日圓、氧化鎵功率半導體市場則僅有「一點點」。
富士經濟指出，2024年功率半導體市場雖陷入萎縮，但是自2024年以後，因車輛電子化、5G通信關連投資提升，加上行業領域需要回復，因此預估市場將轉趨擴張，預估2030年市場規模將達4兆471億日圓、將較2024年景長443%，此中矽製產物市場規模預估為3兆7,981億日圓、將較2024年景長380%。
富士經濟表明，自2024年以後，在汽車電子器材需要加持下，預估次世代功率半導體市場將以每年近20%的速度展示增長，2030年市場規模預估為2,490億日圓、將較2024年跳增38倍(發展約380%)。
此中，因汽車電子器材需要加持，來自中國、北美、歐洲的需要揚升，預估2030年SiC功率半導體市場規模將擴張至1,859億日圓、將較2024年跳增28倍；GaN功率半導體市場規模預估將擴張至166億日圓、將較2024年飆增65倍；氧化鎵功率半導體市場規模預估為465億日圓。
功率半導體除了是電動車(EV)的要害零件之外，也正擴張利用於工業機械人、離岸風力發電器材等用處，是減碳所不能或缺的產物之一。
目前日系廠商在功率半導體市場上佔有一定的存在感，三菱電機、富士電機、東芝等3家廠商合計握有環球2成市佔。
日經報導1月15日新聞，Rohm計畫在此後5年內投資600億日圓、將採用於EV的SiC功率半導體產能擴增至現行的5倍；富士電機將投資約1,200億日圓擴增日本內地外工場產能、增產功率半導體；東芝計畫在2024年度了結前投資約800億日圓、將功率半導體產能提高3成。
新聞指出，Rohm在SiC功率半導體的研發上財神娛樂城返現優惠居領先，財神娛樂城真錢於環球SiC功率半導體市場握有2成市佔率，和英飛凌(Infineon)、STMicroelectronics並列為環球重要供給商之一，而其產能擴增至5倍後、環球市佔率有望提高至3成。Rohm生產的半導體質料也以經由汽車零件廠的格式、採用於特斯拉(Tesla財神娛樂城推薦優惠)的EV逆變器(inverter)上。
